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型号： PSMN5R6-100PS,127
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN5R6-100PS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN5R6-100PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN5R6-100PS,127封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB。您可以下载PSMN5R6-100PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN5R6-100PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN5R6-100PS,127 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款晶体管，具体属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），并且是单通道设计。这款 MOSFET 的应用场景非常广泛，尤其适用于需要高效、低损耗和高可靠性的电力电子系统中。

 主要应用场景：

1. 电源管理：
   - PSMN5R6-100PS,127 适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器等电源管理系统中。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少传导损耗，提高转换效率，特别是在高电流应用中表现尤为出色。
   
2. 电机驱动：
   - 在电机驱动电路中，该 MOSFET 可以用于控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和低导通电阻使得它能够在高频工作条件下保持高效运行，同时减少发热。

3. 电池管理系统（BMS）：
   - 在电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）以及便携式电子设备的电池管理系统中，PSMN5R6-100PS,127 可以用于电池充放电控制、过流保护等功能，确保电池的安全和稳定运行。

4. 工业自动化：
   - 在工业自动化领域，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服控制系统等，MOSFET 可以作为功率开关元件，实现对负载的精确控制，提升系统的响应速度和稳定性。

5. 消费电子产品：
   - 在笔记本电脑、智能手机充电器、平板电脑等消费电子产品中，该 MOSFET 可以用于电源适配器、USB-PD 快充模块等，提供高效的电力传输和保护功能。

6. 通信设备：
   - 在通信基站、服务器电源等大功率设备中，PSMN5R6-100PS,127 可以用于功率分配、电压调节等环节，确保设备在高负载下的稳定运行。

 总结：
PSMN5R6-100PS,127 具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点，适用于多种电力电子应用，尤其是在需要高效能和低损耗的场景中表现出色。无论是工业级应用还是消费级产品，这款 MOSFET 都能够提供卓越的性能和可靠性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 100V 100A TO220ABMOSFET MOSFET N-CH 100V 100A
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	100 A
Id-连续漏极电流	100 A
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN5R6-100PS,127-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	PSMN5R6-100PS,127
Pd-PowerDissipation	306 W
Pd-功率耗散	306 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	5.6 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	5.6 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	46 ns
下降时间	34 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	8061pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	141nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	5.6 毫欧 @ 25A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	568-4972-5 934064274127 PSMN5R6100PS127
典型关闭延迟时间	83 ns
功率-最大值	306W
包装	管件
商标	NXP Semiconductors
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	5.6 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	100 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	100A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single