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Datasheet下载- 型号： PSMN5R6-100PS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN5R6-100PS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN5R6-100PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN5R6-100PS,127封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB。您可以下载PSMN5R6-100PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN5R6-100PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN5R6-100PS,127 是 NXP USA Inc. 推出的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单管），采用 TO-220AB 封装，具有低导通电阻（RDS(on) 典型值 5.6 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 100 A）及优异的开关性能。其主要应用场景包括： - 工业电源与开关电源（SMPS）：适用于服务器/通信设备的同步整流、DC-DC 转换器（如 BUCK 电路）的主开关或续流器件，提升效率并降低温升。 - 电机驱动系统：用于中小功率 BLDC 或有刷直流电机控制器中的 H 桥功率级，支持 100V 耐压，适配 24V–48V 工业/自动化设备（如电动工具、AGV、泵阀驱动）。 - 电池管理系统（BMS）与电子负载：作为充放电保护开关或主动均衡开关，低 RDS(on) 减少功耗与发热。 - LED 驱动与照明控制：在高亮度 LED 恒流驱动中作 PWM 调光开关，响应快、损耗低。 - 车载辅助系统（非安全关键）：如车灯控制、座椅调节、风扇驱动等 12V/24V 低压平台应用（需满足 AEC-Q101 认证——注：该型号为工业级，非车规；若用于汽车需确认具体版本及认证状态）。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 低至 1–2.5 V），可直接由 MCU/驱动 IC 控制，简化外围设计；TO-220 封装便于散热安装，适合中高功率密度场景。注意实际应用中需合理设计栅极驱动、PCB 布局及散热措施以保障可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A TO220ABMOSFET MOSFET N-CH 100V 100A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN5R6-100PS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN5R6-100PS,127 |
| Pd-PowerDissipation | 306 W |
| Pd-功率耗散 | 306 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 46 ns |
| 下降时间 | 34 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8061pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 141nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-4972-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 83 ns |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 5.6 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 100 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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