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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RFP3055LE由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RFP3055LE价格参考。Fairchild SemiconductorRFP3055LE封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RFP3055LE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RFP3055LE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RFP3055LE 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效、高功率开关性能的电子设备中。该器件具有低导通电阻、高耐压(最高60V)和高电流承载能力(连续漏极电流可达55A),适合用于中高功率的电源管理和功率转换系统。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器等,适用于通信设备、工业控制系统和嵌入式系统中的电源模块。 2. 电机驱动:常用于直流电机控制、电动工具、电动车及机器人系统中,作为高效开关元件控制电机的启停与调速。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和小型逆变器中,用于将直流电转换为交流电,提供稳定电源输出。 4. 照明系统:如LED照明驱动器中,用于调光控制和高效电源转换。 5. 汽车电子:应用于汽车电源系统、车载充电器、继电器替代方案等场景,具备良好的热稳定性和可靠性。 RFP3055LE凭借其高效率、易驱动和耐用性,是多种功率应用中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 11A TO-220AB |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | RFP3055LE |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 107 毫欧 @ 8A,5V |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 38W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 400 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |