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  • 型号: SI4420DYTR
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4420DYTR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4420DYTR价格参考。International RectifierSI4420DYTR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4420DYTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4420DYTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的晶体管型号 SI4420DYTR 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于 FET(场效应晶体管)类别。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC转换器:用于降压或升压电路中,作为开关元件实现高效的电压转换。
   - 负载开关:在便携式设备中,用于动态控制负载的开启和关闭,降低功耗。
   - 电池保护:在锂电池管理系统中,用作过流、短路或反向电流保护的开关。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器中的电机驱动,提供高效开关和低导通电阻。
   - H桥电路:在双向电机控制中,与其他MOSFET配合使用,实现正转、反转和制动功能。

 3. 信号切换
   - 音频信号切换:用于多路音频输入选择,确保低失真和高信噪比。
   - 数据线路切换:在通信设备中,用于切换不同的数据路径,减少信号干扰。

 4. 消费电子
   - 智能手机和平板电脑:用于充电管理、屏幕背光控制和音频放大等场景。
   - USB接口保护:在USB端口中作为过流保护开关,防止外部设备对主机造成损害。

 5. 工业应用
   - 传感器接口:在工业自动化系统中,用于控制传感器的供电或信号传输。
   - 继电器替代:利用其快速开关特性和长寿命优势,取代传统机械继电器。

 特性优势
- 低导通电阻(Rds(on)):典型值为6.5mΩ(@Vgs=4.5V),降低功率损耗,提高效率。
- 高开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。
- 小封装尺寸:采用DFN1006-3封装,节省PCB空间,适合紧凑型设计。
- 耐热性能:支持高达150°C的工作温度范围,适应恶劣环境。

综上,SI4420DYTR广泛应用于需要高效开关、低功耗和小型化设计的场景,特别适合消费电子、工业控制和电源管理领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

SI4420DYTR

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2240pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

78nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9 毫欧 @ 12.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

供应商器件封装

8-SO

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

4,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12.5A (Ta)

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