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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4420DYTR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4420DYTR价格参考。International RectifierSI4420DYTR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4420DYTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4420DYTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的晶体管型号 SI4420DYTR 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于 FET(场效应晶体管)类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:用于降压或升压电路中,作为开关元件实现高效的电压转换。 - 负载开关:在便携式设备中,用于动态控制负载的开启和关闭,降低功耗。 - 电池保护:在锂电池管理系统中,用作过流、短路或反向电流保护的开关。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器中的电机驱动,提供高效开关和低导通电阻。 - H桥电路:在双向电机控制中,与其他MOSFET配合使用,实现正转、反转和制动功能。 3. 信号切换 - 音频信号切换:用于多路音频输入选择,确保低失真和高信噪比。 - 数据线路切换:在通信设备中,用于切换不同的数据路径,减少信号干扰。 4. 消费电子 - 智能手机和平板电脑:用于充电管理、屏幕背光控制和音频放大等场景。 - USB接口保护:在USB端口中作为过流保护开关,防止外部设备对主机造成损害。 5. 工业应用 - 传感器接口:在工业自动化系统中,用于控制传感器的供电或信号传输。 - 继电器替代:利用其快速开关特性和长寿命优势,取代传统机械继电器。 特性优势 - 低导通电阻(Rds(on)):典型值为6.5mΩ(@Vgs=4.5V),降低功率损耗,提高效率。 - 高开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。 - 小封装尺寸:采用DFN1006-3封装,节省PCB空间,适合紧凑型设计。 - 耐热性能:支持高达150°C的工作温度范围,适应恶劣环境。 综上,SI4420DYTR广泛应用于需要高效开关、低功耗和小型化设计的场景,特别适合消费电子、工业控制和电源管理领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SI4420DYTR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2240pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 12.5A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12.5A (Ta) |