Datasheet下载- 型号： IRFBE30PBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBE30PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBE30PBF价格参考。VishayIRFBE30PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFBE30PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFBE30PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFBE30PBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： IRFBE30PBF适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功率损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动： 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关控制和稳定的电流输出，适合家用电器、工业自动化设备等。 3. 负载开关： 在需要快速切换负载的电路中，IRFBE30PBF可以作为负载开关使用，实现对不同负载的精确控制，例如在消费电子设备中管理电池供电。 4. 电池管理系统（BMS）： 用于保护锂电池或其他可充电电池组免受过充、过放或短路的影响。其低导通电阻有助于降低电池系统中的能量损耗。 5. 逆变器和UPS系统： 在不间断电源（UPS）和逆变器中，IRFBE30PBF可以作为关键的功率开关元件，支持交流与直流之间的高效转换。 6. 汽车电子： 虽然IRFBE30PBF并非专门设计用于汽车级应用，但在非严苛环境下的车载电子设备中（如车窗升降器、座椅调节器等），它仍可作为驱动元件使用。 7. 照明控制： 用于LED照明系统的调光或开关控制，确保高效且稳定的电流供应，同时减少发热问题。 总之，IRFBE30PBF凭借其优良的电气性能，在各种电力电子设备中发挥重要作用，特别适合需要高效率、低功耗的设计场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220ABMOSFET 800V Single N-Channel HEXFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.1 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBE30PBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91118点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | IRFBE30PBFIRFBE30PBF |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 33 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFBE30PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 82 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 功率耗散 | 125 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 3 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 800 V |
| 漏极连续电流 | 4.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.1A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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