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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NVTFS5124PLTWG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVTFS5124PLTWG价格参考。ON SemiconductorNVTFS5124PLTWG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVTFS5124PLTWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVTFS5124PLTWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVTFS5124PLTWG是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效、低导通电阻和小尺寸封装的电源管理系统中。该器件采用先进的TrenchFET技术,具有低栅极电荷和优异的开关性能,适用于高频率开关场景。 其主要应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电池管理与电源转换;DC-DC转换器,特别是在同步整流降压电路中表现优异;电机驱动电路,用于小型电机或步进电机的控制;以及各类消费类电子产品中的负载开关和热插拔保护电路。 此外,该MOSFET还适用于工业控制模块、LED驱动电源和USB供电设备(如PD快充适配器),因其具备良好的热稳定性和可靠性,在紧凑型高密度电源设计中具有优势。其封装形式为PowerPAK SO-8L,节省空间且便于散热,适合对体积敏感的应用环境。 总体而言,NVTFS5124PLTWG凭借低RDS(on)、高效率和小尺寸特点,成为现代高效能、轻薄化电子设备中理想的功率开关元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 8A U8FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVTFS5124PLTWG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 260 毫欧 @ 3A, 10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.4A (Ta) |