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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTX210P10T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTX210P10T价格参考。IXYSIXTX210P10T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTX210P10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTX210P10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTX210P10T是一款P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管中的FET类别。该器件常用于需要高效功率控制的场景。 该MOSFET的主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,因其具备较高的耐压和大电流能力,适合用于电源开关或负载开关控制。 2. 电机驱动:在直流电机、步进电机等驱动电路中作为功率开关使用,能够实现快速开关控制,提高系统效率。 3. 工业自动化:用于工业控制系统中的功率负载控制,如继电器替代、电磁阀驱动等。 4. 电池供电设备:如UPS(不间断电源)、电池管理系统(BMS)中,用于电池充放电控制和负载切换。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、电动工具、电动车控制器等对可靠性和效率要求较高的场合。 该器件为TO-264封装,具有良好的散热性能,适用于高功率应用。使用时需注意其最大工作电压、电流及功耗限制,并配合适当的驱动电路与散热设计以确保稳定运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247MOSFET P-Channel: Standard MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 210 A |
Id-连续漏极电流 | - 210 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTX210P10TTrenchP™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXTX210P10T |
Pd-PowerDissipation | 1.04 kW |
Pd-功率耗散 | 1.04 kW |
Qg-GateCharge | 740 nC |
Qg-栅极电荷 | 740 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 15 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4.5 V |
上升时间 | 98 ns |
下降时间 | 55 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 69500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 740nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 毫欧 @ 105A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
典型关闭延迟时间 | 165 ns |
功率-最大值 | 1040W |
包装 | 管件 |
商标 | IXYS |
商标名 | TrenchP |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | PLUS 247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 90 s |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 210A (Tc) |
系列 | IXTX210P10 |
通道模式 | Enhancement |