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STP23NM60ND产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP23NM60ND由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP23NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTP23NM60ND封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 19.5A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP23NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP23NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP23NM60ND 是 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号的主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS): STP23NM60ND 适用于开关模式电源中的高频开关应用。其 600V 的耐压能力使其能够承受较高的电压波动,适合用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器中。 2. 电机驱动: 该 MOSFET 可用于小型电机驱动电路,例如家用电器(如风扇、泵)或工业设备中的电机控制。其低导通电阻(Rds(on) = 1.4 Ω 典型值)有助于减少功率损耗并提高效率。 3. 逆变器和变频器: 在太阳能逆变器或变频器中,STP23NM60ND 可作为开关元件使用,支持高效的能量转换和调节输出电压或频率。 4. 负载开关: 由于其较低的导通电阻和高耐压特性,该器件非常适合用作负载开关,以控制电路中大电流负载的开启和关闭。 5. 电池管理系统(BMS): 在电池保护电路中,STP23NM60ND 可用于过流保护、短路保护以及电池充放电路径的切换。 6. 电磁阀和继电器驱动: 该 MOSFET 能够驱动电磁阀或继电器线圈,提供足够的电流和电压支持,同时确保快速开关和低功耗。 7. 汽车电子: 在汽车电子领域,STP23NM60ND 可用于车身控制系统、灯光控制、座椅调节等需要高压开关的应用。 8. 照明系统: 适用于 LED 照明驱动电路,提供高效能的电流控制和调光功能。 总之,STP23NM60ND 凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能,广泛应用于各种需要高压、高效能开关的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-220MOSFET N-channel 600V, 20A FDMesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 19.5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP23NM60NDFDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP23NM60ND |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2100pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 69nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-8445-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF207681?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 90 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 180 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 19.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 19.5A (Tc) |
| 系列 | STP23NM60ND |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |