Datasheet下载- 型号： TK20G60W,RVQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK20G60W,RVQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK20G60W,RVQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK20G60W,RVQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK20G60W,RVQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK20G60W,RVQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK20G60W,RVQ 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单N沟道功率MOSFET，广泛应用于多种电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源供应器：适用于AC-DC电源转换器、开关电源（SMPS）等，用于高效能的电能转换和稳压控制。 2. DC-DC转换器：用于各类电子设备中的电压调节系统，如服务器、通信设备和工业控制设备中的升压/降压电路。 3. 马达驱动器：在工业自动化设备、电动工具和家电中用于控制直流马达的启停与速度调节。 4. 逆变器系统：如UPS（不间断电源）和太阳能逆变器中，作为功率开关进行直流到交流的电能转换。 5. 负载开关与保护电路：用于电池管理系统（BMS）、电源管理模块中，实现快速开关控制与过流保护。 该MOSFET具有高耐压（600V）、大电流（20A）特性，适用于中高功率应用场景，具备良好的导通性能与热稳定性，适合在高效能、高可靠性要求的工业与消费类电子产品中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 1680 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 20A D2PAKMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK20G60W,RVQ- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=TK20G60W&lang=en&type=datasheet |
| 产品型号 | TK20G60W,RVQTK20G60W,RVQ |
| Pd-PowerDissipation | 165 W |
| Pd-功率耗散 | 165 W |
| Qg-GateCharge | 48 nC |
| Qg-栅极电荷 | 48 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1680pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 155 毫欧 @ 10A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | TK20G60WRVQDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 165W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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