Datasheet下载- 型号： MVGSF1N03LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MVGSF1N03LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MVGSF1N03LT1G价格参考。ON SemiconductorMVGSF1N03LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MVGSF1N03LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MVGSF1N03LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MVGSF1N03LT1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - MVGSF1N03LT1G 的耐压值为 30V，适用于低压电源管理系统，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电池充电电路等。 - 可用于负载开关、电源分配和电压调节等场合，提供高效的开关性能。 2. 电机驱动 - 由于其低导通电阻（Rds(on)），适合用于小型直流电机的驱动控制，如风扇、泵或伺服电机。 - 在 H 桥电路或半桥电路中作为功率开关，实现电机的正转、反转和调速功能。 3. 信号切换 - 在需要高频开关的应用中，MVGSF1N03LT1G 的快速开关特性使其成为信号切换的理想选择，例如音频信号切换、传感器信号切换等。 4. 保护电路 - 可用于过流保护、短路保护和热关断保护电路中，确保系统在异常情况下能够安全运行。 - 其内置的 ESD 保护功能增强了器件的可靠性。 5. 消费电子 - 广泛应用于手机充电器、平板电脑适配器、笔记本电脑电源管理模块等消费电子产品中。 - 适用于 USB 接口的电源管理，例如 USB-C PD（Power Delivery）应用。 6. 工业自动化 - 在工业控制系统中，可用于继电器驱动、固态继电器替代、可编程逻辑控制器（PLC）的输入/输出接口等。 7. 汽车电子 - 尽管该型号未明确标注为车规级，但在非关键车载应用中（如车内照明、娱乐系统等）仍可使用。 总结 MVGSF1N03LT1G 凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，在各种低压、高效能的电力电子应用中表现出色。它适用于需要小体积、低成本且高性能解决方案的设计场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MVGSF1N03LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 140pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 1.2A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 420mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Ta） |
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