Datasheet下载- 型号： NVTR4503NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVTR4503NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVTR4503NT1G价格参考。ON SemiconductorNVTR4503NT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVTR4503NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVTR4503NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVTR4503NT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS)： NVTR4503NT1G 的低导通电阻（Rds(on) 典型值为 2.8mΩ @ Vgs = 10V）和高电流处理能力（连续漏极电流 Id 高达 67A），使其非常适合用于开关电源中的功率转换电路，例如降压或升压转换器。 2. 电机驱动： 在小型电机控制中，该 MOSFET 可作为开关元件使用，支持高效驱动直流电机或无刷直流电机（BLDC）。其快速开关速度和低损耗特性有助于提高整体效率。 3. 电池管理： 适用于锂离子电池或其他可充电电池组的保护电路中，用作充放电路径的开关器件，确保安全性和稳定性。 4. 负载切换： 在需要频繁开启/关闭大电流负载的情况下（如 LED 照明、汽车电子设备等），此型号能够提供可靠且高效的性能表现。 5. 逆变器与太阳能系统： 由于其出色的热特性和电气参数，可以应用于小型光伏逆变器或家用能源管理系统中，参与 DC-AC 转换过程。 6. 工业自动化： 在各种工业控制应用中，比如电磁阀控制、继电器驱动等场合，这款高性能 MOSFET 能够胜任苛刻的工作环境要求。 综上所述，NVTR4503NT1G 凭借其优异的性能指标，在消费类电子产品、通信设备、计算机及其外设、工业控制以及绿色能源等多个领域都有广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 30V 1.5A SOT23MOSFET NFET SOT23 30V 2A 0.110R |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVTR4503NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NVTR4503NT1G |
| Pd-PowerDissipation | 0.73 W |
| Pd-功率耗散 | 730 mW |
| Qg-GateCharge | 3.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 3.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 85 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 85 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5.8 ns |
| 下降时间 | 1.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 135pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | NVTR4503NT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 420mW |
| 功率耗散 | 0.73 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 85 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 3.6 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 1.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A （Ta） |
| 系列 | NTR4503N |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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