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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP5N80由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP5N80价格参考。Fairchild SemiconductorFQP5N80封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQP5N80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP5N80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP5N80是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有以下关键参数:耐压能力为80V,连续漏极电流可达5A(在特定条件下),并且具备较低的导通电阻(Rds(on))。这些特性使得FQP5N80适用于多种电力电子应用场景,具体包括但不限于以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS):由于其低导通电阻和快速开关速度,FQP5N80非常适合用于开关模式电源中的功率开关,能够有效减少能量损耗并提高转换效率。 2. 电机驱动与控制:在小型直流电机或步进电机驱动电路中,该MOSFET可以用作电子开关来控制电机的启动、停止及速度调节等操作。 3. 负载切换:在需要频繁开启或关闭高电流负载的应用场合下(如LED照明系统或汽车电子设备),FQP5N80可以提供可靠的负载切换功能。 4. 电池管理系统(BMS):作为电池保护电路中的关键元件之一,FQP5N80可用于过流保护、短路保护以及充放电路径管理等方面。 5. 逆变器和变频器:在一些低功率逆变器或变频器设计中,这款MOSFET也可用作核心开关器件,帮助实现交流信号生成或频率变换等功能。 6. 音频功放:在某些D类音频放大器设计中,FQP5N80可能被选作输出级开关元件,以提高效率并降低热量产生。 总之,凭借其出色的电气性能和性价比优势,FQP5N80广泛应用于消费电子产品、工业自动化设备、通信设施以及家用电器等多个领域,是许多低至中等功率应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 800V 4.8A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQP5N80 |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1250pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.6 欧姆 @ 2.4A,10V |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 140W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.8A (Tc) |