Datasheet下载- 型号： IRFU9210PBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU9210PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU9210PBF价格参考。VishayIRFU9210PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFU9210PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFU9210PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFU9210PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括： 1. 电源管理： IRFU9210PBF适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够有效降低功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动： 在小型直流电机或步进电机驱动中，该MOSFET可以用作开关器件，控制电机的启停、速度和方向。其快速开关能力和低功耗适合此类应用。 3. 负载开关： 用于便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中的负载开关，实现对不同电路模块的动态供电管理，减少待机功耗。 4. 电池保护： 在电池管理系统（BMS）中，IRFU9210PBF可用于过流保护、短路保护以及充放电控制，确保电池的安全运行。 5. 信号切换： 在通信设备或工业控制系统中，作为信号切换元件，用于隔离或分配不同的信号路径。 6. 逆变器与太阳能系统： 适用于小型逆变器或太阳能微逆变器，用于将直流电转换为交流电，支持可再生能源的应用。 7. 消费电子： 广泛应用于电视、音响、游戏机等消费电子产品中，提供高效、可靠的开关功能。 IRFU9210PBF凭借其出色的电气性能（如低Rds(on)、高开关速度和良好的热稳定性），成为上述应用的理想选择，尤其适合需要高效能和小体积解决方案的设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 1.9A I-PAKMOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.9 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFU9210PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFU9210PBFIRFU9210PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 1.1A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 其它名称 | *IRFU9210PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.9A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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