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  • 型号: IRF7433TR
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7433TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7433TR价格参考。International RectifierIRF7433TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7433TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7433TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRF7433TR是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单个N沟道MOSFET。该器件广泛应用于需要高效功率开关的场合。

IRF7433TR的主要应用场景包括:

1. 电源管理:常见于DC-DC转换器、同步整流器和电源开关电路中,用于提高电源转换效率,降低功耗。

2. 电机控制:用于电动工具、电动车、工业自动化设备中的电机驱动电路,实现对电机转速和方向的精确控制。

3. 负载开关:在电池供电设备中作为负载开关使用,控制电源通断,延长电池寿命。

4. 逆变器与变频器:用于小型逆变器、UPS(不间断电源)系统中,实现直流电到交流电的高效转换。

5. 汽车电子:如车载充电系统、LED照明控制、车身控制模块等,满足汽车应用中对可靠性和效率的高要求。

该MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适合中高功率应用。封装形式为SO-8,便于表面贴装,适用于紧凑型设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRF7433TR

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

900mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1877pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

24 毫欧 @ 8.7A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

供应商器件封装

8-SO

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

4,000

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.9A (Ta)

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