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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PSMN2R5-60PLQ
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R5-60PLQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R5-60PLQ价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R5-60PLQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN2R5-60PLQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN2R5-60PLQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R5-60PLQ 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型 MOSFET。该器件具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点，适用于多种功率电子系统。 该 MOSFET 的主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关，提升电源转换效率，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统。 2. 电机控制：在无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动中作为开关元件，提供快速开关响应和低损耗。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动工具、电动自行车和储能系统中，实现对电池充放电的高效控制。 4. 汽车电子：适用于车载充电器、车身控制模块和辅助电机驱动，符合汽车级可靠性要求。 5. 工业自动化：用于工业电源、PLC（可编程逻辑控制器）和变频器等设备中，实现高效、稳定的功率控制。 总之，PSMN2R5-60PLQ 凭借其高性能和可靠性，广泛应用于需要高效功率开关的消费电子、工业控制和汽车领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH TO-220MOSFET N-Channel MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道、 FREDFET |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 150 A |
| Id-连续漏极电流 | 150 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R5-60PLQ- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN2R5-60PLQ |
| Pd-PowerDissipation | 349 W |
| Pd-功率耗散 | 349 W |
| Qg-GateCharge | 223 nC |
| Qg-栅极电荷 | 223 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.45 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.45 V |
| 上升时间 | 119 ns |
| 下降时间 | 128 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 223nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-10164-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 224 ns |
| 功率-最大值 | 349W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A （Tc） |
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