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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PSMN2R5-60PLQ
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R5-60PLQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R5-60PLQ价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R5-60PLQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN2R5-60PLQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN2R5-60PLQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R5-60PLQ 是 NXP（恩智浦）推出的高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有极低导通电阻（RDS(on) 典型值仅 2.5 mΩ @ VGS = 10 V，4.5 mΩ @ 4.5 V）、60 V 耐压及高电流能力（ID = 120 A，脉冲），兼具快速开关与强鲁棒性。 典型应用场景包括： ✅ 高效率DC-DC转换器：如服务器/通信电源中的同步整流、POL（负载点）模块，低RDS(on)显著降低导通损耗； ✅ 电机驱动电路：用于无刷直流（BLDC）电机的H桥下管或低压侧开关，逻辑电平驱动（兼容3.3V/5V MCU）简化栅极驱动设计； ✅ 电子负载与电池管理系统（BMS）：在电池充放电保护、主动均衡或放电回路中承担大电流通断，其雪崩耐量（UIS）和热稳定性保障可靠性； ✅ LED照明驱动：用于恒流调光开关或多路LED串的PWM控制，高速开关特性支持高频率调光且温升低； ✅ 工业电源与UPS：作为主功率开关或ORing（冗余电源并联）器件，LFPAK封装具备优异散热性能与PCB贴装可靠性。 该器件特别适合空间受限、高功率密度、需直接由微控制器驱动的中高功率（数十瓦至数百瓦级）开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH TO-220MOSFET N-Channel MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道、 FREDFET |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 150 A |
| Id-连续漏极电流 | 150 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R5-60PLQ- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN2R5-60PLQ |
| Pd-PowerDissipation | 349 W |
| Pd-功率耗散 | 349 W |
| Qg-GateCharge | 223 nC |
| Qg-栅极电荷 | 223 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.45 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.45 V |
| 上升时间 | 119 ns |
| 下降时间 | 128 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 223nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-10164-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 224 ns |
| 功率-最大值 | 349W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A （Tc） |
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