Datasheet下载- 型号： IPD20N03L
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD20N03L由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD20N03L价格参考。InfineonIPD20N03L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD20N03L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD20N03L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
英飞凌（Infineon Technologies）型号为IPD20N03L的MOSFET属于功率场效应晶体管，常用于需要高效开关和功率控制的场景。该器件具备低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，适用于以下主要应用场景： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，提高能效和系统稳定性。 2. 电机控制：在直流电机、步进电机驱动电路中作为开关元件，实现调速与方向控制。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动工具、电动车或储能系统中，实现充放电控制与保护。 4. 工业自动化：如PLC、工业电源及控制模块中，作为高可靠性开关使用。 5. 消费电子：如充电器、适配器、LED照明驱动等设备中的功率开关。 6. 汽车电子：车载电源系统、车载充电器（OBC）或电池保护电路中。 该MOSFET采用通孔封装（如TO-252），便于散热与安装，适合中高功率应用。设计时需注意其工作电压、电流限制及散热方案，以确保稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD_U_20N03L.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b429ef094265 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPD20N03L |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD20N03LT |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
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