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Datasheet下载- 型号： BLP7G07S-140PY
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLP7G07S-140PY由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLP7G07S-140PY价格参考。NXP SemiconductorsBLP7G07S-140PY封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双），共源 28V 1.2A 724MHz ~ 769MHz 20.9dB 35W 4-HSOPF。您可以下载BLP7G07S-140PY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLP7G07S-140PY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLP7G07S-140PY是Ampleon USA Inc.推出的一款高性能射频MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件基于先进的LDMOS技术，工作频率范围覆盖700–1000 MHz，典型输出功率可达140W，具有高效率、高增益和出色的热稳定性，适用于对性能要求严苛的无线通信系统。 其主要应用场景包括： 1. 广播发射机：广泛用于UHF电视广播发射设备中，作为末级或次末级功率放大器，支持高效稳定的信号传输。 2. 工业、科学和医疗（ISM）设备：应用于射频能量加热、等离子发生器等需要稳定射频功率源的工业系统。 3. 公共安全与专业通信：用于基站和中继站中的高可靠性射频放大模块，支持应急通信、轨道交通及政府通信网络。 4. 蜂窝基础设施：适用于4G LTE及部分5G扩展频段的宏基站，尤其在需要高线性度和能效比的场景中表现优异。 该器件采用紧凑的陶瓷封装（Pyrex密封），具备良好的散热性能和环境耐受性，适合在高温、高湿等恶劣条件下长期运行。其高可靠性和一致性使其成为关键任务通信系统中的优选器件。 总之，BLP7G07S-140PY是一款面向广播、通信和工业领域的高性能射频功率晶体管，适用于需高输出功率与高稳定性的中高频段放大应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF PWR LDMOS 4HSOP |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLP7G07S-140PY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 4-HSOPF |
| 其它名称 | 934066972518 |
| 功率-输出 | 35W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.9dB |
| 封装/外壳 | 4-BESOP （0.173"， 4.40mm 宽） |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 724MHz ~ 769MHz |
| 额定电流 | - |
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