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IRFI640GPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI640GPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI640GPBF价格参考。VishayIRFI640GPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 9.8A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3。您可以下载IRFI640GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI640GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFI640GPBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于多种电力电子系统中。该器件具有高开关速度、低导通电阻和较强的电流承载能力,适合用于高效能转换场景。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电源适配器中,实现高效的电能转换。 2. 电机控制:在直流电机驱动器或无刷电机控制系统中作为功率开关,控制电机的启停与调速。 3. 逆变器与变频器:用于UPS(不间断电源)或太阳能逆变器中,将直流电转换为交流电。 4. 负载开关:在工业控制或自动化设备中作为电子开关,控制大功率负载的通断。 5. 电池管理系统:用于电池充放电控制电路中,确保系统安全运行。 6. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明驱动等对可靠性要求较高的场景。 该器件采用 TO-220 封装,便于散热和安装,适合中高功率应用。由于其性能稳定、驱动简单,被广泛用于工业、通信、消费类及汽车电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FPMOSFET N-Chan 200V 9.8 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFI640GPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFI640GPBFIRFI640GPBF |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 51 ns |
| 下降时间 | 36 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 5.9A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | *IRFI640GPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 40W |
| 功率耗散 | 40 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 180 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 9.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.8A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |