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  • 型号: IRF540NSTRLPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF540NSTRLPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF540NSTRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF540NSTRLPBF价格参考¥3.74-¥3.74。International RectifierIRF540NSTRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 100V 33A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载IRF540NSTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF540NSTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies旗下的IRF540NSTRLPBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关性能的电源管理场景。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高电流承载能力和优异的热稳定性,适合在中高功率环境中可靠运行。

典型应用场景包括:  
1. 电源系统:用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC适配器中,实现高效的电压转换与稳压。  
2. 电机驱动:适用于直流电机、步进电机等驱动电路,常见于工业控制、电动工具及家用电器中。  
3. 照明控制:用于LED驱动电源和智能照明系统,支持PWM调光与稳定电流输出。  
4. 汽车电子:尽管非专为车规设计,但仍可用于部分车载辅助电源、继电器替代或电池管理系统中的开关控制。  
5. 消费电子与工业设备:如逆变器、电源模块、充电装置等,提供快速开关响应与低功耗表现。

IRF540NSTRLPBF采用表面贴装封装(如DPAK),便于自动化生产,并具备良好散热性能,适合紧凑型设计。其无铅环保结构符合RoHS标准,适用于注重环保要求的电子产品制造。总体而言,该MOSFET适用于对效率、可靠性和空间布局有较高要求的中功率应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAKMOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

33 A

Id-连续漏极电流

33 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF540NSTRLPBFHEXFET®

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产品型号

IRF540NSTRLPBF

Pd-PowerDissipation

3.8 W

Pd-功率耗散

3.8 W

Qg-GateCharge

47.3 nC

Qg-栅极电荷

47.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

44 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

44 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1960pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

71nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

44 毫欧 @ 16A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

IRF540NSTRLPBF-ND
IRF540NSTRLPBFTR

功率-最大值

130W

功率耗散

3.8 W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

44 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

47.3 nC

标准包装

800

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

33 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

33A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf540ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf540ns.spi

闸/源击穿电压

20 V

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