ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > RSR010N10TL
Datasheet下载- 型号： RSR010N10TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSR010N10TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSR010N10TL价格参考￥1.04-￥5.46。ROHM SemiconductorRSR010N10TL封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 1A（Ta） 540mW（Ta） TSMT3。您可以下载RSR010N10TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSR010N10TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSR010N10TL 是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET。其主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS)： RSR010N10TL 具有较低的导通电阻（Rds(on)），使其非常适合用于高效能开关电源的设计中，例如 DC-DC 转换器、降压/升压转换器等。其低导通电阻可以减少功率损耗，提高整体效率。 2. 电机驱动： 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停和速度调节。其快速开关特性和低损耗特性有助于提升电机驱动系统的性能。 3. 负载开关： 在消费电子设备中，RSR010N10TL 可用作负载开关，用于动态管理不同负载的供电状态。例如，在手机、平板电脑或其他便携式设备中，控制外设（如显示屏、摄像头等）的供电。 4. 电池保护电路： 该器件适用于锂离子电池或可充电电池组的保护电路中，用于防止过充、过放或短路等情况的发生。通过精确控制电流路径，确保电池的安全性和使用寿命。 5. LED 驱动： 在 LED 照明应用中，RSR010N10TL 可用于恒流源电路中，实现对 LED 的亮度调节和稳定驱动。其高效率和低热耗散特性有助于简化散热设计。 6. 汽车电子： 该 MOSFET 还可用于汽车电子系统中的各种开关应用，例如车身控制模块 (BCM)、电动车窗、雨刷器控制系统等。其坚固的结构和可靠性能够适应严苛的工作环境。 7. 信号放大与缓冲： 在某些需要信号放大的场合，RSR010N10TL 可用作缓冲器，将输入信号转换为更高的输出电流或电压，以驱动后续负载。 总之，RSR010N10TL 凭借其低导通电阻、高切换速度和良好的热性能，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域，特别适合需要高效能和紧凑设计的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3MOSFET 4V Drive Nch MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSR010N10TL- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSR010N10TL |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Qg-GateCharge | 3.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 3.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 370 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 370 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 140pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 520 毫欧 @ 1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT3 |
| 其它名称 | RSR010N10TLDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 540mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TSMT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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