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  • 型号: RSR010N10TL
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RSR010N10TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSR010N10TL价格参考¥1.04-¥5.46。ROHM SemiconductorRSR010N10TL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 1A(Ta) 540mW(Ta) TSMT3。您可以下载RSR010N10TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RSR010N10TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3MOSFET 4V Drive Nch MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,4V 驱动

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1 A

Id-连续漏极电流

1 A

品牌

ROHM Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSR010N10TL-

mouser_ship_limit

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产品型号

RSR010N10TL

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

Qg-GateCharge

3.5 nC

Qg-栅极电荷

3.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

370 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

370 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

9 ns

下降时间

15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

140pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3.5nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

520 毫欧 @ 1A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TSMT3

其它名称

RSR010N10TLDKR

典型关闭延迟时间

22 ns

功率-最大值

540mW

包装

Digi-Reel®

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

TSMT-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

1 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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