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NTMS4816NR2G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMS4816NR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMS4816NR2G价格参考。ON SemiconductorNTMS4816NR2G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 6.8A(Ta) 780mW(Ta) 8-SOIC。您可以下载NTMS4816NR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMS4816NR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMS4816NR2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - NTMS4816NR2G 的低导通电阻(Rds(on))特性使其非常适合用于高效能的电源管理电路中,例如: - 开关电源(SMPS) - 直流-直流转换器(DC-DC Converter) - 降压和升压转换器 - 在这些应用中,该 MOSFET 可以降低开关损耗并提高整体效率。 2. 电机驱动 - 由于其高电流承载能力和快速开关速度,NTMS4816NR2G 被广泛应用于小型电机驱动电路中,例如: - 无刷直流电机(BLDC)控制 - 步进电机驱动 - 风扇和泵的电机控制 3. 负载开关 - 在需要动态开启或关闭负载的应用中,该 MOSFET 可用作高效的负载开关,例如: - USB 端口保护 - 移动设备中的电源路径管理 - 电池管理系统(BMS) 4. 保护电路 - NTMS4816NR2G 可用于设计过流保护、短路保护和热保护电路,例如: - 限流保护电路 - 电子保险丝 - 过压/欠压保护 5. 音频放大器 - 在音频功率放大器中,该 MOSFET 可作为输出级开关器件,提供高效率和低失真性能。 6. 通信设备 - 在通信领域,NTMS4816NR2G 可用于信号调节和功率分配,例如: - 基站功率模块 - 射频(RF)前端电路 7. 汽车电子 - 在汽车应用中,该 MOSFET 可用于: - 车载充电器 - 电动窗和座椅调节系统 - LED 照明驱动 总结 NTMS4816NR2G 凭借其低导通电阻、高电流能力和快速开关速度,适用于多种工业、消费电子和汽车领域的应用。在选择具体应用场景时,需根据其电气参数(如电压、电流、功耗等)进行匹配和优化设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-SOICMOSFET NFET SO8 30V 11A NCH 0.030R |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMS4816NR2G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTMS4816NR2G |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 2.04 W |
Pd-功率耗散 | 2.04 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 12.7 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 12.7 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 3.8 ns |
下降时间 | 8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1060pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 9A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | NTMS4816NR2GOSCT |
典型关闭延迟时间 | 21.6 ns |
功率-最大值 | 780mW |
功率耗散 | 2.04 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 12.7 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 26 S |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 11 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.8A (Ta) |
系列 | NTMS4816N |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |