ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PSMN1R5-40ES,127
Datasheet下载- 型号： PSMN1R5-40ES,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R5-40ES,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R5-40ES,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R5-40ES,127封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK。您可以下载PSMN1R5-40ES,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN1R5-40ES,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R5-40ES,127 是 NXP USA Inc. 推出的高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有超低导通电阻（Rds(on) 典型值仅 1.5 mΩ @ Vgs=10V，2.0 mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID=120A）及优异热性能。其主要应用场景包括： - 高效DC-DC电源转换：广泛用于服务器/通信设备的POL（Point-of-Load）转换器、VRM模块及同步整流电路，显著降低导通损耗，提升系统能效（尤其在48V→12V/5V/3.3V等多级降压中）； - 工业电机驱动与负载开关：适用于BLDC电机控制中的高侧/低侧开关、PLC输出模块、智能断路器及大电流电子保险丝，支持快速开关与强短路耐受能力； - 电池管理系统（BMS）：用于电动工具、储能系统（ESS）和轻型电动车的主充放电回路及电池保护板，凭借低Rds(on)减少发热，延长续航与寿命； - 热插拔与冗余电源设计：内置优化寄生参数，配合驱动IC可实现平滑上电/下电控制，保障系统可靠性。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容3.3V/5V MCU），集成稳健体二极管，具备AEC-Q101认证（部分批次），亦适用于车规级辅助电源等严苛环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAKMOSFET N-Ch 40V 1.6 mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R5-40ES,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN1R5-40ES,127 |
| Pd-PowerDissipation | 338 W |
| Pd-功率耗散 | 338 W |
| Qg-GateCharge | 133 nC |
| Qg-栅极电荷 | 133 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9710pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 136nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-6717 |
| 功率-最大值 | 338W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
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