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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI1471DH-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等场景。该器件具有低导通电阻、高可靠性和小型封装,适用于对空间和效率要求较高的应用。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、电池供电设备中的开关元件,提高能效并延长电池寿命。 2. 负载开关:在便携式电子产品(如智能手机、平板电脑)中,作为控制外设电源的开关,实现快速启停和低功耗管理。 3. 电机驱动与继电器替代:用于小型电机或继电器控制电路,提供高效、低噪声的开关性能。 4. 保护电路:如过流、过压保护电路中,作为高速开关元件,实现快速响应与切断功能。 5. 工业控制与电源模块:广泛应用于工业自动化设备、电源模块和嵌入式系统中,作为高频率开关器件。 该 MOSFET 采用小型化封装(如 TSOP),适合高密度 PCB 设计,工作温度范围宽,适应多种环境需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6MOSFET 30V 2.7A 2.78W 100 mohms @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.8 A |
Id-连续漏极电流 | 2.8 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?74468 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1471DH-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI1471DH-T1-E3SI1471DH-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 175 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 175 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 48 ns, 20 ns |
下降时间 | 17 ns, 9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.6V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 445pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.8nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 2A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-70-6 (SOT-363) |
其它名称 | SI1471DH-T1-E3DKR |
典型关闭延迟时间 | 23 ns, 20 ns |
功率-最大值 | 2.78W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI1471DH-E3 |