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Datasheet下载- 型号： SISA14DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SISA14DN-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SISA14DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SISA14DN-T1-GE3价格参考。VishaySISA14DN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 3.57W（Ta），26.5W（Tc） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SISA14DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SISA14DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SISA14DN-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，主要应用于需要高效功率控制的场合。该器件具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性，适用于多种电源管理和负载开关场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理系统：用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中的电源切换与电池保护。 2. 负载开关：作为高侧或低侧开关，控制电机、LED 灯、风扇等负载的通断。 3. DC-DC 转换器：在同步整流电路中作为整流元件，提高转换效率。 4. 电机驱动电路：用于小型电机或步进电机的控制，实现高效能和紧凑设计。 5. 工业控制设备：如 PLC、传感器模块、继电器替代方案等，提供快速开关和低功耗特性。 该 MOSFET 采用小型封装（如 TSOP），适合空间受限的设计，且具备良好的抗静电和热保护性能，适合中低功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SISA14DN-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1450pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.1 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30392 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SISA14DN-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 26.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
