Datasheet下载- 型号： PSMN2R2-25YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R2-25YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R2-25YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R2-25YLC,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN2R2-25YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN2R2-25YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN2R2-25YLC,115是一款高性能N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有超低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.2 mΩ @ VGS = 10 V，3.0 mΩ @ 4.5 V）、高电流能力（ID高达120 A）及优异热性能。其主要应用场景包括： • 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流、POL（负载点）转换器及BUCK/BOOST电路，显著降低导通损耗； • 电机驱动与电子负载开关：适用于无人机电调、电动工具、风机/泵类BLDC驱动中的上/下桥臂开关，支持快速开关与强抗冲击能力； • 电池管理系统（BMS）与电源保护：用于锂电池组的充放电主回路开关、反向电流阻断及过流保护电路，得益于低RDS(on)和高雪崩耐量（UIS额定）； • LED照明驱动与固态继电器：在智能照明恒流驱动及高可靠性固态开关中提供高效、静音、长寿命替代方案。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容3.3 V/5 V MCU），具备AEC-Q101车规级可靠性认证（部分批次），亦适用于严苛工业环境。其紧凑封装与卓越散热特性，特别适合空间受限且需高功率密度的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAKMOSFET N-Ch 25V 2.4 mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R2-25YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN2R2-25YLC,115 |
| Pd-PowerDissipation | 106 W |
| Pd-功率耗散 | 106 W |
| Qg-GateCharge | 39 nC |
| Qg-栅极电荷 | 39 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.54 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.54 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2542pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6729-2 |
| 功率-最大值 | 106W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
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