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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R2-25YLC,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R2-25YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R2-25YLC,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN2R2-25YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN2R2-25YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R2-25YLC,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件常用于需要高效功率转换与管理的电子系统中。 典型应用场景包括: 1. 电源管理系统:适用于DC-DC转换器、负载开关及电池供电设备中的高效电源管理模块。 2. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件,实现对电机启停与转速的精确控制。 3. LED照明驱动:用于LED灯串或背光系统的恒流驱动电路中,提高能效并减小体积。 4. 工业自动化设备:广泛应用于PLC、传感器、继电器替代方案等工业控制系统中,提升整体系统效率与可靠性。 5. 汽车电子:满足车载充电器、车身控制模块、车灯控制等场景对功率器件的高性能要求。 其封装形式为LFPAK56(Power-SO8),具备良好的散热能力与空间利用率,适合高密度PCB布局设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAKMOSFET N-Ch 25V 2.4 mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R2-25YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN2R2-25YLC,115 |
| Pd-PowerDissipation | 106 W |
| Pd-功率耗散 | 106 W |
| Qg-GateCharge | 39 nC |
| Qg-栅极电荷 | 39 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.54 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.54 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2542pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6729-2 |
| 功率-最大值 | 106W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tmb) |