【未分类_IRLS4030PBF】封装/厂家_IRLS4030PBF中文资料_价格

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型号： IRLS4030PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLS4030PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLS4030PBF价格参考。International RectifierIRLS4030PBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRLS4030PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLS4030PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRLS4030PBF是一款N沟道逻辑级功率MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景：

 1. 开关电源（SMPS）
   - IRLS4030PBF具有低导通电阻（Rds(on)），使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。例如，在降压转换器、升压转换器或反激式转换器中作为主开关器件。
   - 其低栅极电荷和快速开关特性有助于提高效率并降低功耗。

 2. 电机驱动
   - 该MOSFET可用于小型直流电机驱动电路，例如无刷直流电机（BLDC）或步进电机的控制。
   - 在H桥或半桥拓扑中，IRLS4030PBF能够高效地切换电流方向，从而实现电机的速度和方向控制。

 3. 负载开关
   - 在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑等）中，IRLS4030PBF可用作负载开关，以动态管理不同组件的供电状态，从而优化电池寿命。
   - 其低导通电阻可减少开关过程中的能量损耗。

 4. 电池管理系统（BMS）
   - 用于锂离子电池保护电路中，作为充放电路径的开关元件。
   - 可通过快速响应过流或短路事件来保护电池组。

 5. 音频放大器
   - 在D类音频放大器中，IRLS4030PBF可用作输出级开关器件，提供高效率的音频信号放大。
   - 其低导通电阻有助于减少热损耗并提高音质。

 6. 汽车电子
   - 在汽车电子系统中，如电动窗、雨刷器或座椅调节系统的驱动电路中，IRLS4030PBF能够承受较高的电流负载并保持稳定运行。
   - 其耐高温性能也使其适合在严苛的汽车环境中使用。

 7. LED驱动
   - 在大功率LED照明应用中，IRLS4030PBF可以用作PWM调光开关或恒流源的一部分，确保LED亮度的精确控制。

 总结
IRLS4030PBF凭借其低导通电阻、高电流处理能力和快速开关特性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。它特别适合需要高效能、低功耗和可靠性的场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 100V 180A D2PAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 4.3mOhms 87nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	180 A
Id-连续漏极电流	180 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLS4030PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRLS4030PBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	370 W
Pd-功率耗散	370 W
Qg-GateCharge	87 nC
Qg-栅极电荷	87 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	4.5 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	4.5 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	16 V
Vgs-栅源极击穿电压	16 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	11360pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	130nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	4.3 毫欧 @ 110A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D2PAK
功率-最大值	370W
功率耗散	370 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	4.5 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
栅极电荷Qg	87 nC
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	180 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	180A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irls_sl4030pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irls_sl4030pbf.spi
闸/源击穿电压	16 V