ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > FMMT723TA
Datasheet下载- 型号： FMMT723TA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FMMT723TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMMT723TA价格参考。Diodes Inc.FMMT723TA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 100V 1A 200MHz 625mW 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载FMMT723TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FMMT723TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FMMT723TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 NPN 型双极结型晶体管（BJT），属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。该器件采用 SOT-23 封装，具有体积小、可靠性高、响应速度快等特点，适用于空间受限的便携式电子设备。 FMMT723TA 的主要应用场景包括： 1. 信号放大电路：常用于音频前置放大、传感器信号调理等低频小信号放大场合，因其良好的增益特性和线性表现而受到青睐。 2. 开关电路：在数字控制电路中作为电子开关使用，例如驱动 LED、继电器、小型电机或逻辑电平转换，适合高频开关操作。 3. 电源管理：可用于低压电源系统中的稳压电路或负载开关，实现对电流的精确控制。 4. 消费类电子产品：广泛应用于手机、平板、可穿戴设备、智能家居设备等，承担接口驱动或信号切换功能。 5. 工业控制与通信设备：在小型工业模块、无线收发模块、传感器接口中作为缓冲或驱动元件。 该晶体管具有较高的直流电流增益（hFE）和较低的饱和电压，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适合在较宽温度范围内工作（通常为 -55°C 至 +150°C）。由于其性价比高、性能稳定，FMMT723TA 成为许多中低功率模拟与数字电路设计中的优选器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS SW PNP 100V 1A SOT23-3两极晶体管 - BJT PNP SuperSOT |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FMMT723TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FMMT723TA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 330mV @ 150mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 250 @ 500mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | FMMT723DKR |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 at 10 mA at 10 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 at 10 mA at 10 V, 300 at 100 mA at 10 V, 250 at 500 mA at 10 V |
| 系列 | FMMT723 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 210 mV |
| 集电极连续电流 | - 1 A |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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