ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTC144WMB,315
Datasheet下载- 型号： PDTC144WMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC144WMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC144WMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTC144WMB,315封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3。您可以下载PDTC144WMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC144WMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC144WMB,315 是 Nexperia 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（R₁=47 kΩ，R₂=22 kΩ），采用超小型 SOT-883（0.8×0.6×0.5 mm）封装，具有低功耗、高可靠性与优良的ESD防护能力（HBM ±8 kV）。 其典型应用场景包括： ✅ 数字逻辑接口电平转换与驱动：常用于微控制器（如STM32、ESP32、Arduino GPIO）输出信号的缓冲与放大，驱动LED、小功率继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极； ✅ 便携式/空间受限设备中的开关控制：凭借微型封装和低ICEO（≤100 nA），适用于可穿戴设备、TWS耳机、智能手表等对尺寸与功耗敏感的终端； ✅ 电池供电系统的负载开关：配合MCU实现低待机电流关断（截止状态功耗极低），延长电池寿命； ✅ 工业与消费类传感器信号调理电路：作为简易有源开关，替代分立电阻+晶体管方案，简化PCB设计并提升一致性与良率。 该器件工作电压范围宽（VCEO=50 V），支持最大IC=100 mA连续电流，具备良好的温度稳定性（-55℃~+150℃），符合AEC-Q101汽车级标准（部分批次），亦可用于车载信息娱乐系统中的非安全相关控制模块。 简言之，PDTC144WMB,315 是面向高集成度、低功耗、小体积需求的通用型智能开关器件，特别适合替代传统分立偏置方案，提升设计效率与可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC144WMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065949315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 230MHz |
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