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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN4525GTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN4525GTA价格参考。Diodes Inc.ZVN4525GTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZVN4525GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZVN4525GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVN4525GTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) ZVN4525GTA 的低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关或同步整流器。它可以在高频条件下高效工作,降低能量损耗。 2. 电池管理 该型号可用于电池保护电路中,例如过流保护、短路保护和负载切换。其低导通电阻有助于减少电池放电时的功耗,延长设备续航时间。 3. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机驱动应用中,ZVN4525GTA 可用作功率级开关,控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流承载能力能够满足大多数消费电子和工业电机的需求。 4. 负载开关 它适用于便携式电子设备中的负载开关应用,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。通过快速响应和低导通电阻,确保系统稳定运行并减少发热。 5. LED 驱动 在 LED 照明应用中,ZVN4525GTA 可用于恒流驱动电路或调光控制。其出色的性能可以实现高效的亮度调节和稳定的电流输出。 6. 信号切换 该器件也可用作信号切换开关,在音频、视频或其他信号路径中实现通道选择或隔离功能,同时保持较低的信号失真。 7. 汽车电子 尽管 ZVN4525GTA 主要针对消费类市场,但在某些非关键车载应用中(如车内照明、娱乐系统等),它也可以作为可靠的功率开关使用。 总结来说,ZVN4525GTA 凭借其优异的电气特性和紧凑封装,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及一些低功耗汽车电子领域,特别适合需要高效功率转换和低功耗的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223MOSFET N-Chnl 250V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 310 mA |
Id-连续漏极电流 | 310 mA |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN4525GTA- |
数据手册 | |
产品型号 | ZVN4525GTA |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 9.5 Ohms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 40 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 40 V |
上升时间 | 1.7 ns |
下降时间 | 3.5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 72pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.65nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.5 欧姆 @ 500mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | ZVN4525GTR |
其它图纸 | |
典型关闭延迟时间 | 11.4 ns |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 310mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |