Datasheet下载- 型号： FQB85N06TM_AM002
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB85N06TM_AM002由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB85N06TM_AM002价格参考。Fairchild SemiconductorFQB85N06TM_AM002封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB85N06TM_AM002参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB85N06TM_AM002 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB85N06TM_AM002 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热稳定性，适用于以下主要场景： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和电源开关，提升能效，减小电源体积。 2. 电机驱动：在直流电机、步进电机和无刷电机控制电路中作为功率开关，实现快速响应和高效控制。 3. 汽车电子：用于车载电源系统、电机控制、LED照明驱动等，满足汽车环境对可靠性和耐温性的要求。 4. 工业自动化：作为工业控制设备中的开关元件，如PLC、伺服驱动器和工业电源模块。 5. 消费类电子产品：应用于笔记本电脑、平板电源管理模块及高效率充电器中。 该MOSFET具备高耐用性和稳定性，适合中高功率应用场景，尤其在需要节能和高可靠性的系统中表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB85N06TM_AM002 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4120pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 112nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 42.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 85A （Tc） |
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