Datasheet下载- 型号： SI3417DV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3417DV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3417DV-T1-GE3价格参考。VishaySI3417DV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3417DV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3417DV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3417DV-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源转换器与稳压器：适用于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）等，因其低导通电阻和高效率特性，有助于提高能源利用率。 2. 负载开关与电源管理：在电池供电设备中作为负载开关使用，实现对不同模块的独立供电控制，延长电池寿命。 3. 电机驱动与继电器替代：用于小型电机控制、电磁阀或继电器的电子开关，具备快速开关能力和较高可靠性。 4. LED 照明系统：在 LED 驱动电路中作调光或开关元件，支持高效能照明解决方案。 5. 消费类电子产品：广泛应用于笔记本电脑、平板、智能家电等设备中的功率控制电路。 6. 工业控制系统：如 PLC、传感器模块、自动化设备中用于信号切换与功率调节。 该器件采用小尺寸封装（如 TSOP），适合空间受限的设计，同时具备良好的热稳定性与耐用性，适用于多种中低功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3417DV-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25.2 毫欧 @ 7.3A， 10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3417DV-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 4.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Ta） |
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