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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SPP20N60CFDXKSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPP20N60CFDXKSA1价格参考。InfineonSPP20N60CFDXKSA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1。您可以下载SPP20N60CFDXKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SPP20N60CFDXKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的SPP20N60CFDXKSA1是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于FET类别。它具有多种应用场景,尤其适用于高功率和高频开关电路。 应用场景: 1. 电源管理: - 该MOSFET广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等电源管理系统中。其低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(V(BR)DSS = 600V)使其能够在高压环境下高效工作,减少能量损耗。 2. 电机驱动: - 在工业自动化和消费电子领域,SPP20N60CFDXKSA1可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机(BLDC)。其快速开关特性和低损耗有助于提高电机控制的效率和响应速度。 3. 逆变器: - 用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和其他电力转换设备。MOSFET的高耐压和快速切换能力使其能够处理大电流和高电压,确保系统稳定运行。 4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV): - 在车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和牵引逆变器中,SPP20N60CFDXKSA1可以提供高效的电力转换和控制,支持车辆的动力系统和辅助设备。 5. 家电产品: - 在家用电器如空调、冰箱、洗衣机等中,这款MOSFET可用于风扇控制、压缩机驱动等部分,提升能效并延长设备寿命。 6. 工业应用: - 在工业控制系统、焊接设备、不间断电源(UPS)等领域,SPP20N60CFDXKSA1凭借其坚固耐用的设计和高性能参数,能够承受恶劣的工作环境,保证系统的可靠性和稳定性。 7. 通信基础设施: - 在基站电源、服务器电源等通信设备中,这款MOSFET有助于实现高效、稳定的电力供应,满足通信设备对电源质量和可靠性的严格要求。 总之,SPP20N60CFDXKSA1以其优异的电气特性、紧凑的封装设计和广泛的适用性,在众多高功率、高频开关应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 20.7 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPP20N60CFDXKSA1 |
| 产品型号 | SPP20N60CFDXKSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 208 W |
| Pd-功率耗散 | 208 W |
| Qg-GateCharge | 95 nC |
| Qg-栅极电荷 | 95 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 6.4 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 59 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 17.5 S |
| 系列 | SPP20N60 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP000681060 |