Datasheet下载- 型号： NTD6416ANLT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD6416ANLT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD6416ANLT4G价格参考。ON SemiconductorNTD6416ANLT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD6416ANLT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD6416ANLT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD6416ANLT4G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - NTD6416ANLT4G 的低导通电阻（Rds(on) = 0.035 Ω @ Vgs = 10V）和高电流处理能力（连续漏极电流 Id = 52 A），使其非常适合用于开关电源中的功率转换电路。 - 可应用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器以及反激式电源等。 2. 电机驱动 - 在电机控制应用中，NTD6416ANLT4G 可用作高效开关元件，用于驱动直流电机或无刷直流电机（BLDC）。 - 其快速开关特性和低损耗有助于提高电机驱动系统的效率。 3. 电池管理系统（BMS） - 该 MOSFET 可用于电池保护电路中，作为充放电路径的开关，确保电池的安全运行。 - 其低导通电阻能够减少电池充放电过程中的能量损耗。 4. 负载开关 - 在消费电子设备（如智能手机、平板电脑等）中，NTD6416ANLT4G 可用作高效的负载开关，控制不同模块的供电状态。 - 它的低导通电阻有助于降低功耗并提高系统效率。 5. LED 驱动 - 在大功率 LED 照明应用中，该 MOSFET 可用作恒流驱动电路中的开关元件，实现精确的电流控制。 - 其良好的热性能和电气特性适合长时间工作在高电流条件下。 6. 工业自动化 - 在工业控制系统中，NTD6416ANLT4G 可用于继电器替代方案，提供更快速、更可靠的开关功能。 - 例如，用于 PLC 输出端口或传感器接口的信号切换。 7. 汽车电子 - 在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于启动电路、电动座椅驱动、车窗升降器控制等场景。 - 其耐用性和可靠性能够满足严苛的汽车环境要求。 总结 NTD6416ANLT4G 凭借其出色的电气性能和耐用性，广泛适用于需要高效功率转换和低损耗开关的应用场景，包括但不限于开关电源、电机驱动、电池管理、负载开关、LED 驱动以及工业自动化等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 19A DPAKMOSFET NFET DPAK 100V 17A 106MO |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD6416ANLT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD6416ANLT4G |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 71 W |
| Pd-功率耗散 | 71 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 74 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 74 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 74 毫欧 @ 19A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | NTD6416ANLT4GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 71W |
| 功率耗散 | 71 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 74 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 25 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 19 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Tc） |
| 系列 | NTD6416ANL |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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