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Datasheet下载- 型号： FDP025N06
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FDP025N06产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP025N06由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP025N06价格参考。Fairchild SemiconductorFDP025N06封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 395W（Tc） TO-220AB。您可以下载FDP025N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP025N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP025N06 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源 (SMPS)：FDP025N06 具有低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关速度，非常适合用于开关模式电源中的主开关或同步整流器。它能够高效地控制电流的开和关，从而提高电源转换效率。 2. 电机驱动：该器件适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。由于其低导通损耗特性，可以减少发热并延长设备使用寿命。例如，在家用电器、电动工具和工业自动化设备中都有广泛的应用。 3. DC-DC 转换器：在降压或升压 DC-DC 转换器中作为功率开关使用，帮助实现高效的电压调节。其高频率工作能力使得设计更加紧凑且高效。 4. 负载切换与保护电路：可用于电池管理系统中的负载切换以及过流保护等功能。凭借其出色的耐用性和可靠性，确保系统在异常情况下仍能安全运行。 5. 逆变器应用：在太阳能微逆变器或其他类型的逆变器中，FDP025N06 可以用作关键的功率处理元件，支持可再生能源系统的高效能量转换。 总之，FDP025N06 凭借其优异的电气性能和稳定性，在众多需要高效功率管理及控制的电子设备中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220MOSFET 60V N-Channel PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 265 A |
| Id-连续漏极电流 | 265 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP025N06PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP025N06 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 395 W |
| Pd-功率耗散 | 395 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 324 ns |
| 下降时间 | 250 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14885pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 226nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 348 ns |
| 功率-最大值 | 395W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.421 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 系列 | FDP025N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
