Datasheet下载- 型号： NVMFS5826NLT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMFS5826NLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMFS5826NLT1G价格参考。ON SemiconductorNVMFS5826NLT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVMFS5826NLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVMFS5826NLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVMFS5826NLT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：用于降压或升压转换电路中，作为开关元件控制电压输出。 - 开关电源 (SMPS)：适用于高效能的开关电源设计，例如适配器、充电器等。 - 负载开关：在便携式设备中用作负载开关，实现快速开启和关闭功能。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：用于驱动玩具、风扇或其他低功率直流电机。 - H 桥电路：在双向电机控制应用中，可作为 H 桥的一部分。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护：用于防止过充、过放或短路情况下的电流异常流动。 - 电量监测：配合其他组件对电池电量进行精确测量。 4. 信号切换 - 高速信号切换：利用其低导通电阻特性，在高频信号路径中实现快速切换。 - 多路复用器/解复用器：在需要选择不同输入输出信号的应用中使用。 5. 汽车电子 - 车身控制模块 (BCM)：如车窗升降、座椅调节等功能中的执行机构驱动。 - LED 照明驱动：为汽车内外部 LED 灯提供稳定电流。 6. 消费类电子产品 - 笔记本电脑与平板电脑：用于内部电源分配及热插拔保护。 - 音频放大器：在功率放大阶段提供高效能源转换。 7. 工业自动化 - 传感器接口：作为传感器信号调理电路中的开关元件。 - 继电器替代方案：在某些场合下可以取代传统机械继电器以提高可靠性和寿命。 NVMFS5826NLT1G 的主要优势在于其较低的导通电阻（Rds(on)），这使得它非常适合于要求高效率和低功耗的设计。此外，它的紧凑封装形式也使其成为空间受限环境下的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 26A SO8FLMOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MOHM |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 26 A |
| Id-连续漏极电流 | 26 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVMFS5826NLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NVMFS5826NLT1G |
| Pd-PowerDissipation | 39 W |
| Pd-功率耗散 | 39 W |
| Qg-GateCharge | 17 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 上升时间 | 32 ns |
| 下降时间 | 24 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | * |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | SO-8FL |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 正向跨导-最小值 | 8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Ta） |
| 系列 | NVMFS5826NL |
| 配置 | Single |
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