Datasheet下载- 型号： PSMN030-150P,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN030-150P,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN030-150P,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN030-150P,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN030-150P,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN030-150P,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN030-150P,127 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-220AB封装。其典型参数包括：VDS = 150 V、RDS(on) ≈ 30 mΩ（@ VGS = 10 V）、ID（连续）达48 A，具备低导通电阻、快速开关特性及良好热稳定性。 该器件主要应用于中高压、中功率开关场景，常见于： ✅ 工业电源与开关电源（如AC-DC适配器、服务器PSU中的同步整流或主开关管）； ✅ 电机驱动（如直流无刷电机（BLDC）的H桥下管/上管，尤其适用于12–48 V系统）； ✅ 汽车电子（符合AEC-Q101标准，可用于车载充电机（OBC）、LED车灯驱动、电子风扇控制等非安全关键类负载开关）； ✅ 不间断电源（UPS）和光伏逆变器中的DC侧开关/旁路电路； ✅ 高可靠性工业控制模块（如PLC输出驱动、电磁阀/继电器驱动）。 其逻辑电平兼容性（VGS(th)低至1–2.5 V，可被3.3 V/5 V MCU直接驱动）简化了栅极驱动设计；TO-220封装便于散热与手工焊接/维修。需注意实际应用中应合理设计PCB散热焊盘、栅极驱动电阻及过压/过流保护，以确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN030-150P,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3680pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5776 |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 55.5A （Tmb） |
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