Datasheet下载- 型号： TK31N60W,S1VF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK31N60W,S1VF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK31N60W,S1VF价格参考￥29.42-￥29.42。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK31N60W,S1VF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK31N60W,S1VF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK31N60W,S1VF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）生产的型号为 TK31N60W,S1VF 的晶体管属于 FET，MOSFET - 单 类别。该器件是一种 N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：用于AC-DC或DC-DC转换器中，作为主开关管实现高效的能量转换。 - 稳压器：在降压或升压电路中用作开关元件，提供稳定的输出电压。 - 电池充电管理：用于锂电池或其他电池的充电电路中，控制充电电流和电压。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于家用电器、玩具、电动工具等场景中的电机驱动。 - H桥电路：用于双向电机控制，支持正转、反转和制动功能。 3. 负载切换 - 负载开关：用于电子设备中的负载切换，例如笔记本电脑、平板电脑或智能手机的外设供电控制。 - 保护电路：结合过流保护或短路保护功能，确保系统安全运行。 4. 照明应用 - LED驱动：用于LED照明系统的恒流驱动电路，确保LED亮度稳定。 - 调光控制：通过PWM信号控制LED亮度，实现调光功能。 5. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、雨刷控制系统、座椅调节等。 - 电源分配：用于汽车内部不同模块的电源分配和保护。 6. 工业控制 - 继电器替代：在工业自动化设备中，用作固态继电器以提高可靠性和寿命。 - 传感器接口：用于控制传感器的供电或信号传输。 技术优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：降低功耗，提高效率。 - 高耐压能力（600V）：适用于高压环境下的开关应用。 - 快速开关特性：减少开关损耗，适合高频应用。 综上所述，TK31N60W,S1VF 型号的 MOSFET 适用于多种电力电子领域，尤其在需要高效能、高可靠性的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 3000 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 30.8A TO247MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 30.8 A |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK31N60W |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK31N60W,S1VF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK31N60W |
| 产品型号 | TK31N60W,S1VFTK31N60W,S1VF |
| Pd-PowerDissipation | 230 W |
| Pd-功率耗散 | 230 W |
| Qg-GateCharge | 86 nC |
| Qg-栅极电荷 | 86 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 73 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 73 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.7 V to 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.7 V to 3.7 V |
| 上升时间 | 32 ns |
| 下降时间 | 8.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 1.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3000pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 88 毫欧 @ 15.4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | TK31N60WS1VF |
| 典型关闭延迟时间 | 165 ns |
| 功率-最大值 | 230W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 商标名 | DTMOSIV |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30.8A （Ta） |
| 配置 | Single |
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