Datasheet下载- 型号： FQD12N20TM_F080
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD12N20TM_F080由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD12N20TM_F080价格参考。Fairchild SemiconductorFQD12N20TM_F080封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD12N20TM_F080参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD12N20TM_F080 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD12N20TM_F080 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要用于中高功率的开关应用。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电器等设备，具备良好的导通电阻与电流承载能力，提升能效。 2. 电机控制：用于直流电机驱动或步进电机控制电路中，作为高速开关元件，实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 照明系统：在LED照明驱动电路或高强度放电灯（HID）镇流器中，作为功率开关使用。 4. 工业自动化：广泛应用于工业控制系统中的继电器替代、负载开关及保护电路。 5. 消费类电子产品：如电视、音响、家电等内部电源模块中，提供高效、可靠的功率切换功能。 该器件采用TOLL封装，具有低导通电阻、高耐压（200V）和良好热性能，适合需要紧凑设计和高效率的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD12N20TM_F080 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 910pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
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