Datasheet下载- 型号： IRLR8729PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR8729PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR8729PBF价格参考。International RectifierIRLR8729PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR8729PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR8729PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRLR8729PBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的FET（场效应晶体管）类别。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和优异的开关性能，适用于高效能、低功耗的电源管理场景。 IRLR8729PBF 主要应用于直流-直流（DC-DC）转换器、同步整流电路、电机驱动和负载开关等场合。在计算机主板、笔记本电脑和服务器的电压调节模块（VRM）中，常用于为CPU或GPU提供高效稳定的电源转换。此外，它也广泛用于消费类电子产品（如电视、电源适配器）、工业控制设备以及电池供电系统中，实现高效的能量转换与管理。 由于其采用TO-252（D-Pak）封装，具备良好的散热性能和可靠性，适合在空间受限但需高功率密度的环境中使用。同时，该型号符合RoHS标准，带有“PbF”标识，表示无铅环保，适用于对环保要求较高的产品设计。 总之，IRLR8729PBF凭借其高性能和稳定性，广泛服务于电源管理、电机控制和电子设备供电等领域，是中小功率应用中理想的MOSFET选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 58A D-PAKMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.9mOhms 10nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 58 A |
| Id-连续漏极电流 | 58 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR8729PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR8729PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 55 W |
| Pd-功率耗散 | 55 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.35 V to 2.35 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.35 V to 2.35 V |
| 上升时间 | 47 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.9 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 91 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 58A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlr_u8729pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlr_u8729pbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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