Datasheet下载- 型号： SI3474DV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
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Vishay Siliconix 的 SI3474DV-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 电源管理： 该 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）和负载开关等应用中。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其能够高效地控制电流流动，减少功率损耗。 2. 电机驱动： 在小型电机控制中，SI3474DV-T1-GE3 可用作开关器件，实现对电机的启动、停止和速度调节等功能。其快速开关特性和较低的功耗适合于电池供电设备中的电机驱动。 3. 电池保护与管理： 该器件适用于锂电池保护电路，用于防止过流、短路或过度放电等情况。其低导通电阻有助于降低电池系统的能量损耗，延长电池寿命。 4. 负载切换： 在需要频繁切换负载的应用中（如消费电子设备），此 MOSFET 可以快速且可靠地接通或断开负载，同时保持较低的热生成。 5. 便携式设备： 由于其小封装尺寸（TSOP6）和高效率特性，SI3474DV-T1-GE3 广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他便携式电子产品中。 6. 信号切换： 在需要高速信号切换的场景下（如数据通信接口），这款 MOSFET 可以提供稳定的性能，支持高频操作。 总之，SI3474DV-T1-GE3 因其出色的电气性能和紧凑的封装形式，特别适合于需要高效能、低功耗和小型化设计的各种电子应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CHAN 100V TSOP-6MOSFET 100V 126mOhm@10V 3.8A N-CH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.8 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?62875 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3474DV-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3474DV-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.6 W |
| Pd-功率耗散 | 3.6 W |
| Qg-GateCharge | 5.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 126 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 126 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 68 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 196pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 126 毫欧 @ 2A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3474DV-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Tc） |
| 系列 | Power MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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