Datasheet下载- 型号： IXTH60N20L2
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH60N20L2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH60N20L2价格参考。IXYSIXTH60N20L2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTH60N20L2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTH60N20L2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTH60N20L2是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率场效应晶体管中的单管类型。该器件具有60A的漏极电流能力和200V的漏源击穿电压，适用于高功率开关应用。 该MOSFET主要应用于以下场景： 1. 电源转换设备：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中，用于高效能的电能转换。 2. 电机控制：在直流电机驱动器、无刷电机控制器中作为功率开关，实现电机的调速与制动控制。 3. 工业自动化设备：用于工业控制系统中的功率负载开关，如继电器替代、加热元件控制等。 4. 新能源领域：在太阳能逆变器、储能系统、电动车充电设备中用于功率调节与管理。 5. 音响设备：高保真音响的电源部分或D类功放中，用于提高效率和减小体积。 该器件采用TO-247封装，具备良好的散热性能和较高的可靠性，适合在高电流、高频工作环境下使用。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提升系统效率。 总结来说，IXTH60N20L2适用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的电力电子系统中，广泛用于工业、通信、新能源及消费类高端电源设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 60A TO-247MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTH60N20L2Linear L2™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTH60N20L2 |
| Pd-PowerDissipation | 540 W |
| Pd-功率耗散 | 540 W |
| Qg-GateCharge | 255 nC |
| Qg-栅极电荷 | 255 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 255nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 （IXTH） |
| 典型关闭延迟时间 | 90 ns |
| 功率-最大值 | 540W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Linear L2 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 35 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 系列 | IXTH60N20 |
| 通道模式 | Enhancement |
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