ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SAR512PT100
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SAR512PT100由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SAR512PT100价格参考¥1.24-¥1.28。ROHM Semiconductor2SAR512PT100封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 30V 2A 430MHz 2W 表面贴装 MPT3。您可以下载2SAR512PT100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SAR512PT100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SAR512PT100 是由 Rohm Semiconductor 生产的双极晶体管 (BJT),属于单晶体管类别。该型号晶体管具有高电压、高电流和高增益的特点,适用于多种应用场景。 应用场景: 1. 电源管理: - 2SAR512PT100 可用于开关电源(SMPS)中的功率调节和控制。其高耐压特性使其能够承受较高的输入电压,确保在高压环境下稳定工作。此外,它还可以用于线性稳压器中,提供稳定的输出电压。 2. 电机驱动: - 在电机驱动电路中,2SAR512PT100 可以作为功率放大器,驱动直流电机或步进电机。其大电流承载能力能够满足电机启动和运行时的高电流需求,同时保持较低的温升,提高系统的可靠性。 3. 音频放大器: - 该晶体管可以应用于音频放大器中,特别是在功率放大级。它的高增益和低噪声特性有助于提升音质,减少失真,适合用于音响设备、车载音响等场合。 4. 继电器驱动: - 2SAR512PT100 可用于驱动电磁继电器,通过控制较小的基极电流来切换较大的负载电流。其快速响应和高可靠性使得它在工业控制系统中表现出色。 5. 保护电路: - 在过流保护和短路保护电路中,2SAR512PT100 可以作为开关元件,当检测到异常电流时迅速切断电路,防止损坏其他元件。其高耐压和大电流特性使其能够在极端条件下可靠工作。 6. 信号放大与处理: - 该晶体管可用于各种模拟信号放大和处理电路中,如传感器信号放大、射频信号放大等。其线性度好,适合需要精确信号放大的应用。 总之,2SAR512PT100 凭借其优异的电气性能,在电源管理、电机驱动、音频放大、继电器驱动、保护电路以及信号放大等多个领域有着广泛的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP DVR 30V MPT3两极晶体管 - BJT Trans GP BJT PNP 30V 2A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SAR512PT100- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SAR512PT100 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 35mA,700mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 100mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | MPT3 |
| 其它名称 | 2SAR512PT100CT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 430 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | MPT-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 0.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 2 A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA(ICBO) |
| 直流电流增益hFE最大值 | 500 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.2 V |
| 频率-跃迁 | 430MHz |