Datasheet下载- 型号： PSMN7R8-120PSQ
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN7R8-120PSQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN7R8-120PSQ价格参考。NXP SemiconductorsPSMN7R8-120PSQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN7R8-120PSQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN7R8-120PSQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN7R8-120PSQ 是 NXP（恩智浦）推出的高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56 封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 7.8 mΩ @ Vgs=10V，10.5 mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（Id=80A）及优异的热性能。其主要应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流、DC-DC 转换器（如 Buck、Boost 拓扑）的主开关或同步整流管，提升效率与功率密度。 - 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制、风扇/泵驱动及电动工具中的 H 桥或半桥驱动电路，支持高频 PWM 控制与快速开关。 - 负载开关与电源管理：在嵌入式系统、工控板卡、网络设备中用作高效、低损耗的电源通断控制（如热插拔、电源轨切换），具备强抗雪崩能力与可靠短路保护特性。 - LED 驱动与照明系统：用于高亮度 LED 恒流驱动的调光开关或 PWM 调光级，兼顾效率与响应速度。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容 3.3V/5V MCU），集成优化的栅极电荷（Qg≈60nC），降低驱动损耗；LFPAK56 封装提供优异散热性与 PCB 可靠性，适合高可靠性、紧凑型设计。不适用于线性区长时间工作或高压（>120V）场景，典型工作电压 ≤120V。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 120V TO-220ABMOSFET N-channel 120V 7.9mo FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 70 A |
| Id-连续漏极电流 | 70 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN7R8-120PSQ- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN7R8-120PSQ |
| Pd-PowerDissipation | 349 W |
| Pd-功率耗散 | 349 W |
| Qg-GateCharge | 167 nC |
| Qg-栅极电荷 | 167 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.72 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.72 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 120 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 120 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 55.3 ns |
| 下降时间 | 60.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9473pF @ 60V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 167nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.9 毫欧 @ 25A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-262-3 |
| 其它名称 | 568-11431-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 151.8 ns |
| 功率-最大值 | 349W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 6.72 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 120 V |
| 漏极连续电流 | 70 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 120V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70A （Tmb） |
| 配置 | Single |
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