Datasheet下载- 型号： PSMN7R8-120PSQ
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN7R8-120PSQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN7R8-120PSQ价格参考。NXP SemiconductorsPSMN7R8-120PSQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN7R8-120PSQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN7R8-120PSQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN7R8-120PSQ 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型 MOSFET，常用于高效率电源转换系统。 该器件的主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：适用于服务器、电信设备和工业电源中的 DC-DC 转换器，提供高效能与低导通损耗。 2. 同步整流器：在开关电源（SMPS）中作为同步整流元件使用，以替代传统的二极管整流，提高转换效率。 3. 负载开关与电源开关：可用于电池管理系统、热插拔电路以及需要高可靠性和低导通电阻的负载切换应用。 4. 电机控制与驱动电路：适用于小型电机或步进电机的驱动控制，特别是在对空间和散热要求较高的场合。 5. 汽车电子应用：虽然主要用于工业领域，但也可用于车载充电系统或辅助电源系统中。 该 MOSFET 采用 LFPAK56 封装，具备优良的热性能与高电流承载能力，内阻低至约 7.8mΩ，额定电压为 120V，适合高功率密度设计。其封装形式支持双面散热，提高了可靠性与使用寿命，非常适合紧凑型高频开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 120V TO-220ABMOSFET N-channel 120V 7.9mo FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 70 A |
| Id-连续漏极电流 | 70 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN7R8-120PSQ- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN7R8-120PSQ |
| Pd-PowerDissipation | 349 W |
| Pd-功率耗散 | 349 W |
| Qg-GateCharge | 167 nC |
| Qg-栅极电荷 | 167 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.72 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.72 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 120 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 120 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 55.3 ns |
| 下降时间 | 60.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9473pF @ 60V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 167nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.9 毫欧 @ 25A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-262-3 |
| 其它名称 | 568-11431-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 151.8 ns |
| 功率-最大值 | 349W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 6.72 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 120 V |
| 漏极连续电流 | 70 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 120V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70A （Tmb） |
| 配置 | Single |
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