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产品简介:
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IRFS7537TRLPBF 是由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的晶体管,属于FET(场效应晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别中的单个器件。该型号的MOSFET具有以下特点和应用场景: 1. 基本参数与特性 - 类型:N沟道增强型MOSFET - 电压等级:支持高达40V的漏源极击穿电压(Vds),适用于中低压应用。 - 电流能力:连续漏极电流(Id)可达82A(在特定结温下),适合高电流场景。 - 导通电阻(Rds(on)):低至3.6mΩ(典型值),有助于降低功率损耗。 - 封装形式:采用TO-268-3封装,适合表面贴装或插件安装,便于散热设计。 2. 主要应用场景 IRFS7537TRLPBF 的高性能和低导通电阻使其非常适合以下领域: (1)电源管理 - 用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、降压/升压电路等。 - 在高效能电源系统中作为主开关或同步整流器使用。 (2)电机驱动 - 控制小型直流电机或无刷直流电机(BLDC)的运行。 - 应用于家用电器(如风扇、洗衣机)或工业设备的电机控制模块。 (3)负载切换 - 实现负载的快速开启和关闭,例如汽车电子中的负载切换。 - 适用于需要频繁开关操作的场景,如LED照明驱动。 (4)电池管理系统(BMS) - 用作电池保护电路中的开关元件,防止过充、过放或短路。 - 在电动车、储能系统或其他便携式设备中发挥关键作用。 (5)逆变器和变频器 - 用于逆变器的核心电路,实现交流电与直流电之间的转换。 - 支持高频开关操作,提高效率并减少能量损失。 3. 优势 - 高效率:低导通电阻显著减少了传导损耗,提高了整体系统效率。 - 可靠性强:英飞凌的产品以高质量和稳定性著称,适合长时间运行的工业级应用。 - 热性能优良:良好的散热设计允许其在较高功率密度下工作。 综上所述,IRFS7537TRLPBF 广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效、高电流处理能力以及稳定性的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N CH 60V 173A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFS7537TRLPBF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET®, StrongIRFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 150µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7020pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 210nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.3 毫欧 @ 100A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 230W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 173A (Tc) |