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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76407D3S由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76407D3S价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76407D3S封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HUF76407D3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF76407D3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76407D3S 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于多种电源管理和功率控制场景。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于高效能开关电路。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器及负载开关,提高电源转换效率。 2. 电机控制:在电机驱动电路中作为功率开关,实现对电机速度和方向的控制。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑和便携式充电器中,用于电池充放电管理。 4. 工业自动化:用于PLC、工业电源及自动化控制系统中的功率开关。 5. 汽车电子:应用于车载电源系统、LED照明驱动及车载充电设备。 该MOSFET采用DPAK封装,便于散热,适合高密度电路设计,适用于中高功率应用场合。
| 参数 | 数值 | 
| 产品目录 | 分立半导体产品 | 
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | 
| 产品分类 | FET - 单 | 
| FET功能 | 逻辑电平门 | 
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 | 
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | 
| 数据手册 | |
| 产品图片 | 
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| 产品型号 | HUF76407D3S | 
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | 
| 产品系列 | UltraFET™ | 
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V | 
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.3nC @ 10V | 
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 92 毫欧 @ 13A,10V | 
| 供应商器件封装 | D-Pak | 
| 功率-最大值 | 38W | 
| 包装 | 管件 | 
| 安装类型 | 表面贴装 | 
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 
| 标准包装 | 1,800 | 
| 漏源极电压(Vdss) | 60V | 
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) | 
 
                                
                             
                                
                             
                                
                             
                                
                             
                                
                             
                                
                             
                                
                            