Datasheet下载- 型号： FDFMA2N028Z
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDFMA2N028Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFMA2N028Z价格参考。Fairchild SemiconductorFDFMA2N028Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDFMA2N028Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDFMA2N028Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDFMA2N028Z 是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道MOSFET，属于低压、小功率场效应晶体管，常用于开关和信号控制应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电池供电管理电路，作为负载开关或电源通断控制，具有低导通电阻（RDS(on)），有助于降低功耗、提高能效。 2. DC-DC转换器：在小型DC-DC降压或升压电路中用作同步整流开关，提升转换效率，尤其适合对空间和功耗敏感的低电压系统。 3. 电机驱动：可用于微型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为控制开关元件，实现启停和方向控制。 4. LED驱动与照明控制：在背光调节或LED开关控制电路中，作为PWM调光的开关器件，响应速度快，控制精度高。 5. 逻辑电路与信号切换：适用于数字电路中的电平转换、信号通断控制，例如I²C总线缓冲或低电流模拟开关。 6. 消费类电子产品：广泛应用于家电控制板、充电器、USB接口保护电路等，提供过流保护或热插拔功能。 该器件采用小型封装（如DFN或SOT-723），适合高密度PCB布局，工作电压适中（Vds约20V），适合低电压、低功耗系统。凭借安森美可靠的产品质量，FDFMA2N028Z在工业控制、汽车电子（非动力系统）及通信模块中也有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2MOSFET 20V N-Ch PT MFET SCHOTTKY |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDFMA2N028ZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDFMA2N028Z |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 68 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 68 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 455pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 68 毫欧 @ 3.7A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-MicroFET（2x2） |
| 其它名称 | FDFMA2N028ZDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | MicroFET-6 2x2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 16 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.7A （Ta） |
| 系列 | FDFMA2N028Z |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single with Schottky Diode |
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