Datasheet下载- 型号： BUK7515-100A,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7515-100A,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7515-100A,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK7515-100A,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK7515-100A,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK7515-100A,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK7515-100A,127 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET - 单类型。这款器件具有以下关键特性与应用场景： 主要参数： - 电压 (Vds)：100 V - 电流 (Id)：127 A（峰值） - 导通电阻 (Rds(on))：低至 3.5 mΩ（典型值，具体取决于栅极驱动电压） - 封装：通常为大功率封装（如 TO-220 或 DPAK），适合高功率应用 应用场景： 1. 开关电源（SMPS） BUK7515-100A,127 的高电流能力和较低的导通电阻使其非常适合用于开关电源中的主开关管或同步整流器。它能够在高频条件下高效工作，减少能量损耗。 2. 电机驱动 在直流无刷电机（BLDC）或其他电机驱动电路中，该 MOSFET 可作为功率级的一部分，用于控制电机的转速和方向。其低 Rds(on) 特性有助于降低功耗并提高效率。 3. 负载开关 由于其低导通电阻，该器件可用作高效的负载开关，适用于需要快速切换和低损耗的应用场合，例如服务器、笔记本电脑或工业设备中的电源管理。 4. 逆变器 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中，BUK7515-100A,127 可用于将直流电转换为交流电。它的高电流处理能力支持较大的功率输出。 5. 电池管理系统（BMS） 该 MOSFET 可用于保护电路中，作为电池组的充放电开关，确保过流、短路等异常情况下的安全性。 6. 汽车电子 在汽车电子领域，这款 MOSFET 可用于启动系统、照明控制、电动助力转向（EPS）等应用中，因其能够承受较高的电压和电流波动。 总结： BUK7515-100A,127 凭借其高电流承载能力、低导通电阻以及稳健的电气性能，广泛应用于工业、消费电子、汽车和通信领域的高功率、高效能需求场景中。选择时需根据实际电路的工作条件（如温度、频率、负载）进行合理设计以充分发挥其优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 75A TO220ABMOSFET RAIL PWR-MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7515-100A,127TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK7515-100A,127 |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 85 ns |
| 下降时间 | 70 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-9804-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 150 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A (Tmb) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | BUK7515-100A |
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