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STP65NF06产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP65NF06由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP65NF06价格参考¥询价-¥询价。STMicroelectronicsSTP65NF06封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 60A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP65NF06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP65NF06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的STP65NF06是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器等,因其导通电阻低、开关速度快,能有效提高电源效率。 2. 电机驱动:用于直流电机、步进电机等的驱动电路中,支持高频PWM调速控制,具备良好的热稳定性和负载能力。 3. 逆变器与变频器:在UPS不间断电源、太阳能逆变器、家用电器变频控制中发挥关键作用,实现高效的电能转换。 4. 汽车电子:如车载充电系统、电动工具、LED车灯驱动等对可靠性和效率有较高要求的应用。 5. 工业自动化:用于PLC、伺服驱动器、工业电源模块等设备中的功率开关元件。 该器件具有65A电流承载能力和60V耐压,适合中高功率应用;采用TO-220或D²PAK封装,便于散热和安装,是性价比高的通用功率MOSFET解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 60A TO-220MOSFET N-channel MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
Id-连续漏极电流 | 60 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP65NF06STripFET™ II |
数据手册 | |
产品型号 | STP65NF06 |
Pd-PowerDissipation | 110 W |
Pd-功率耗散 | 110 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 60 ns |
下降时间 | 16 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 毫欧 @ 30A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 497-7529-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF128531?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
功率-最大值 | 110W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Tc) |
系列 | STP65NF06 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |