Datasheet下载- 型号： IRF840STRRPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF840STRRPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF840STRRPBF价格参考。VishayIRF840STRRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF840STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF840STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF840STRRPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下方面： 1. 开关电源（SMPS）：IRF840STRRPBF适用于各种开关电源设计，例如反激式、正激式和升压/降压转换器。其低导通电阻和高开关速度特性使其成为高效电源管理的理想选择。 2. 电机驱动：该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关控制。其耐压能力（高达500V）能够适应电机启动时的电压尖峰。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，IRF840STRRPBF可以作为开关元件，用于将直流电转换为交流电。 4. 负载切换：在需要快速、可靠地切换大电流负载的应用中，如汽车电子或工业设备，这款MOSFET能够实现低损耗的负载切换。 5. DC-DC转换器：由于其出色的开关特性和耐压能力，IRF840STRRPBF非常适合用于各种DC-DC转换器设计，以提高效率并减少热量产生。 6. 保护电路：在过流保护、短路保护等电路中，该MOSFET可以用作电子开关，迅速切断异常电流路径，保护系统其他部分免受损害。 7. 音频放大器：在某些功率音频放大器设计中，IRF840STRRPBF可用作输出级器件，提供强大的驱动能力和良好的线性度。 总之，IRF840STRRPBF凭借其高耐压、适中的导通电阻以及良好的开关性能，在多种电力电子应用中表现出色，尤其适合需要中等功率处理能力的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 8A D2PAKMOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF840STRRPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF840STRRPBFIRF840STRRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 850 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 850 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 850 毫欧 @ 4.8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 49 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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