Datasheet下载- 型号： IXFN180N10
- 制造商： Clare
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN180N10由Clare设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN180N10价格参考。ClareIXFN180N10封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFN180N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFN180N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFN180N10是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率MOSFET器件，具有高电流、低导通电阻和高耐压特性。其主要参数包括：最大漏源电压（VDS）为100V，连续漏极电流可达180A，适用于高功率、高频开关应用。 该器件广泛应用于以下场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，用于高效能电能转换，提升系统效率。 2. 电机驱动：适用于工业自动化设备、电动汽车、电动工具等电机控制电路中，作为高电流开关使用。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和逆变器中，用于将直流电转换为交流电，具备快速开关特性，有助于减小系统体积和提高效率。 4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制电路，具备高可靠性和低损耗特性。 5. 工业控制设备：如PLC、伺服驱动器、焊接设备等需要高功率密度和高稳定性的工业应用。 IXFN180N10凭借其优异的导通性能和热稳定性，适合在要求高效率、高可靠性和紧凑设计的电力电子系统中使用。
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