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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7462DP-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7462DP-T1-E3价格参考。VishaySI7462DP-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI7462DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7462DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7462DP-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的电子电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性,适用于多种电源管理和负载开关场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、稳压模块和电池供电设备中的功率开关,提高能效并减少发热。 2. 负载开关:在笔记本电脑、平板和智能手机等便携设备中作为高侧或低侧开关,控制外围设备的电源供应。 3. 电机驱动与继电器替代:在小型电机控制或固态继电器中作为无触点开关,提升响应速度和可靠性。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明控制及配电模块,满足汽车环境对稳定性和耐用性的要求。 5. 工业控制:应用于工业自动化设备中的功率控制单元,如PLC模块、传感器供电管理等。 该MOSFET采用小型DFN封装,适合高密度PCB布局,广泛适用于需要高效能与小体积设计的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.6 A |
Id-连续漏极电流 | 2.6 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72136 |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7462DP-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI7462DP-T1-E3SI7462DP-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 1.9 W |
Pd-功率耗散 | 1.9 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 15 ns |
下降时间 | 15 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 130 毫欧 @ 4.1A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SI7462DP-T1-E3DKR |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
功率-最大值 | 1.9W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.6A (Ta) |
系列 | SI74xxDx |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI7462DP-E3 |